真空共晶炉焊接时热损伤会影响薄膜器件的性能;温度太高会造成粘连、磨损以及附着现象;无效的热部件会影响热的传导。下面就简单介绍下，真空共晶炉的温度影响。

　　一、真空共晶炉共晶时通常的问题是基座(Heater Block)的温度小于共晶温度.在此类情况下,焊料已然能够熔化, 但五足量的温度来式芯片背部的镀金层扩散,而实际操作中误以为焊料熔化就达到共晶的目的。,由于长时间来加热基座会使电路产生损坏,由此可见共晶时温度和时间的控制是十分重要的。由于以上原因，温度曲线的设置是共晶好坏的重要因素。

　　二、真空共晶炉由于共晶时需要的温度较高，特别是用 AuGe焊料共晶，对基板及薄膜电路的耐高温特性提出了要求。要求电路能承受 400 ℃的高温，在该温度下，电阻及导电性能不能有改变。因此共晶的一个关键因素是温度，它不是单纯的到达某个定值温度，而是要经过一个温度曲线变化的过程，在温度变化中，还要具备处理任何随机事件的能力，如抽真空、充气、排气等事件。这些都是共晶炉设备具备的功能。

　　三、真空共晶炉多芯片共晶的温度控制与单芯片不同，此时要利用阶梯共晶的板房。通常先对温度高的焊料进行共晶，之后在对温度低的进行共晶的。共晶炉控制系统能够设置多个温度曲线，每条温度曲线能够设定9段，通过链接的方式可扩展到81段，在温度曲线运行过程中可增加充气、抽真空、排气等工艺步骤。